【失效分析】fib在ito表面缺陷的应用-j9九游会登录入口

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【摘要】本文通过fib的高精度定位切割功能，配合场发射sem/eds，综合分析ito截面的尺寸和腐蚀产物元素成分，为产品质量提供快捷有效的证据。

【关键词】 ito，失效分析，fib

1. 引言

失效样品为手机显示屏，具体失效位置在前端ic位置，失效现象是ito出现出现腐蚀导致显示异常，如下图所示，需具体分析失效的原因。

图1.ito表面缺陷sem观察图

2. 试验与结果

图2.失效位置截面观察图
图3.正常位置截面观察图
图4.失效位置eds测试谱图图
图5.正常位置eds测试谱图图

3. 结论

根据测试结果，对比ok和正常位置的成分，推断可能是ito位置有mg、k、ga的盐类或碱污染，在使用过程中环境中的水分子在浓度梯度作用下渗透进ito位置，形成导电溶液，在通电情况下形成电化学腐蚀造成的。

4. 参考文献

gb/t 17359-2012微束分析 能谱法定量分析  

jy/t 010-1996分析型扫描电子显微镜方法通则

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