直插式led漏电失效分析-j9九游会登录入口

2017-02-09  浏览量:1944

邓胜良

(深圳市美信检测技术股份有限公司,深圳宝安,518108)

 

摘要:直插式led漏电,通过切片分析、sem、emmi等测试,判断失效产生的直接原因为led焊线工艺参数设置不当造成芯片表面钝化层损伤,形成导电路径;根本原因为led封装工艺管控不良。

 

关键词:led漏电;切片分析;emmi;sem

 

1.失效背景

客户反馈其产品上所使用的直插式led灯珠在客户端测试过程中出现死灯和暗灯现象,经初步排查,失效灯珠存在漏电现象,具体表现为反向漏电偏大。

 

失效分析 失效分析
图1 样品外观

 

2.主要分析过程简述

在相同测试条件下(正向3v)测试正常样品和失效样品的半导体特性曲线,如图2所示,样品漏电现象得到确认;如图3所示,对失效样品进行镶样研磨,逐步去除样品的pcb,并测试灯珠的半导体特性曲线,结果未发生明显变化,该项测试证明失效与pcb板表面和内部状况(电迁移、离子残留等)无关,仅发生在灯珠部分;对失效样品进行开封,去除封装胶后,对led芯片进行emmi测试,测试结果显示:漏电芯片负电极绑定点附近出现比较明显的漏电发热点,sem照片显示ng样品出现绑定点过大情况,焊点已经覆盖了芯片正负极间的绝缘沟道,采用化学试剂去除ng样品的焊点,芯片pn结与负极间的部分钝化保护层已经脱离,同时负极边缘位置出现了一定程度的损伤。

 

失效分析

图2 i-v特性曲线

 

失效分析 失效分析
图3 切片分析

 

失效分析

失效分析

图4 emmi sem

 

3.总结与结论

本案的失效现象为直插式led漏电;失效产生的直接原因为led焊线工艺参数设置不当造成芯片表面钝化层损伤,形成导电路径;根本原因为led封装工艺管控不良。

 

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